王曦院士
上海微系统所
地点：唐楼B501
时间：2015-12-25 14:00
集成电路是信息技术发展的重要引擎。快速持续的技术革新使集成电路功能日益提升，成本日益降低，其应用已渗透至人类活动的全部领域。未来集成电路的发展仍依赖产业链各个环节的技术创新，新衬底材料将发挥重要作用。在延续摩尔定律（More Moore）方面，全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）衬底将为先进工艺提供高成本效益的技术方案，在保持平面CMOS工艺的情况下使晶体管提升性能、降低功耗；高迁移率材料衬底，如锗、III-V族化合物等，可应对先进工艺器件迁移率退化的挑战。在超越摩尔（More than Moore）方面，绝缘体上硅（SOI）在射频器件应用中已逐步取代GaAs成为主流衬底及工艺方案，下一代射频器件的性能提升也将依靠射频SOI技术的创新；SOI同时也是硅光器件和MEMS器件的重要衬底材料；大尺寸低成本的氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）衬底将为功率器件和微波器件带来革新。我国在集成电路新衬底材料方面已开展一系列布局，为我国下一代集成电路的发展提供技术支撑。
1987年毕业于清华大学工程物理系，1990年、1993年分别获中科院上海冶金所（现上海微系统所）硕士、博士学位。1993年－1994年任上海微系统所助理研究员，其中1993年7月－1994年5月赴澳大利亚访问学者。1994年－2004年历任上海微系统所副研究员、室副主任、研究员、室主任、所长助理，其中1996年5月－1998年6月赴德国访问学者。2004年4月至今，历任上海微系统所党委副书记兼副所长、党委书记兼副所长、党委书记兼常务副所长、所长。2008年8月起任国家中长期科技发展规划“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”科技重大专项技术副总师。2010年7月起任信息功能材料国家重点实验室主任。2010年8月当选为第十一届全国青年联合会副主席，担任科学技术界别工作委员会主任委员。中共十八大代表。2013年9月受聘为上海市决策咨询委员会委员。长期致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究，并应用于高端集成电路衬底材料的开发，在国际学术期刊及学术会议上发表论文近400篇，申请发明专利160余项，其中国际专利27项。担任“离子束材料改性国际会议”国际咨询委员会委员（中国唯一的国际委员），牵头承担国家科技重大专项等项目，领衔国家自然科学基金委创新研究群体，担任集成电路材料产业技术创新战略联盟理事长。曾获国家科技进步一等奖1项（第一完成人）、何梁何利基金科学与技术进步奖、中国科学院杰出科技成就奖（第一完成人）、上海市科技进步一等奖（第一完成人）等奖项以及上海市领军人才、中国科学院杰出青年等荣誉称号。