锑化物窄带隙半导体光电材料与器件技术

锑化物窄带隙半导体低维结构具有多变的能带构型和丰富的光电功能，是新型宽谱域红外光电材料的研究前沿。近年来锑化物低维外延材料、短波红外激光与宽谱段探测光电器件技术进展十分迅速，已经成为各国广泛重视的变革性新体系光电功能材料，是开发红外光电芯片及其集成技术的重大前沿。本报告主要介绍锑化物半导体基本特性，基于先进分子束外延技术复杂结构的生长方法、锑化物量子阱激光器以及锑化物超晶格探测器的研究进展，讨论了第四代半导体锑化物体系红外光电器件技术前沿方向、核心问题与全链条研发模式。