王欣然
南京大学电子科学与工程学院
固体微结构国家重点实验室
人工微结构科学与技术协同创新中心
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时间：2014年10月17日（星期五）下午3:00
地点：唐仲英楼B501
摘要：
以石墨烯、硫化钼为代表的二维材料具有高迁移率等优异的物理性质，可以实现高性能的电子与光电器件，是未来电子学的重要发展方向。在这个报告中，我将介绍我们研究组在二维原子晶体和分子晶体的合成、表征以及器件方面的工作。
在原子晶体方面，我们发现天然的硫化钼材料中存在大量的硫空位缺陷，这些缺陷在禁带中引入局域化的缺陷态。电子受到缺陷、带电杂质和电荷陷阱的影响，迁移率大幅度降低。我们使用硫醇修复硫化钼中的空位缺陷，可以降低带电杂质和电荷陷阱的浓度，提高器件性能，实现了室温下迁移率为80cm2 V-1 s-1的单层硫化钼晶体管。在分子晶体方面，我们首次使用了范德华外延的方法，在石墨烯和氮化硼衬底上实现了高质量的二维分子晶体。这类分子晶体具有大面积单晶、层数可控、低生长温度、以及图形化等特点，代表了一类新型的二维电子材料。单层有机分子晶体管的迁移率最高可以达到10cm2 V-1 s-1，远远高于以往的纪录。我们的工作为二维有机电子学奠定了基础。
参考文献：
(1) Hao Qiu, Tao Xu, Zilu Wang, Wei Ren, Haiyan Nan, Zhenhua Ni, Qian Chen, Shijun Yuan, Feng Miao, Fengqi Song, Gen Long, Yi Shi, Litao Sun, Jinlan Wang* & Xinran Wang*, Nature Comm. 4, 2642 (2013).
(2) Hao Qiu, Lijia Pan, Zongni Yao, Junjie Li, Yi Shi* and Xinran Wang*, Appl. Phys. Lett., 100, 123104 (2012).
(3) Zhihao Yu, et al. Nature Comm., In press (2014).
(4) Daowei He, et al. Nature Comm., In press (2014).
王欣然，1981年出生，南京大学电子科学与工程学院教授、博士生导师，国家杰出青年基金获得者。2004年本科毕业于南京大学物理系，2010年获得斯坦福大学物理学博士学位，2010-2011年期间先后在斯坦福大学和伊利诺伊大学做博士后研究，2011年回到母校南京大学。在Science、Nature、Nature子刊发表论文10余篇，论文总 引用超过8000次，H因子23。目前，研究组致力于研究低维材料的合成、性质以及信息器件。