杨玉超博士
美国密歇根大学安娜堡分校

报告时间：4月4日（周五）10:30
报告地点：科学楼902

报告摘要：

阻变存储器（RRAM）是一种新兴的非易失性存储技术，近年来在世界范围内吸引了学术界和主要半导体制造商的广泛关注，具有读写速度快、体积小、工艺简单、功耗低等优点。RRAM的工作原理一般被认为是基于导电细丝机制，纳米尺度导电细丝的形成和断开过程控制了器件的逻辑和存储状态，因此深刻理解导电细丝的微观本质及生长动力学对于器件性能优化和物理模型建立具有重大意义。采用先进的原位透射电镜技术，我们直接观察到了RRAM器件中纳米尺度导电细丝的形成过程，系统分析了导电细丝的成分和化学状态，首次通过透射电镜直接观察到了两种不同的导电细丝生长模式，揭示了离子迁移率对于导电细丝生长过程的影响，扩充了对于导电细丝生长动力学的认识。通过对器件中氧空位浓度的设计、不同氧化物层功能的精细调控以及采用石墨烯作为新型电极材料等，开发了具备优异特性的RRAM器件。

个人简介：

杨玉超毕业于清华大学材料系并获得博士学位，2010年9月起在美国密歇根大学安娜堡分校从事博士后研究，现为电子工程与计算机科学系Senior Research Fellow。主要研究方向包括新型电子器件、非易失性存储技术、忆阻器和类脑计算以及纳电子学等。迄今为止，在Nature Communications、Advanced Materials、Nano Letters等杂志上发表文章30余篇，受邀以第一作者撰写专著章节2部、综述文章1篇，所做工作被NPG Asia Materials等作为科研亮点报道。发表文章被引用1000余次，多篇文章入选ISI高引用论文。获国家自然科学二等奖一项、教育部自然科学一等奖一项，并有多项中国/美国专利被授权或受理。曾获清华大学"学术新秀"等荣誉。美国材料研究学会、英国皇家化学学会成员。受邀担任十余种著名同行评议类期刊及学术会议的评审。