翁红明
中科院物理所
地点：唐仲英楼B501
时间：2015-10-14 09:30
拓扑绝缘体打开了电子能带拓扑性质研究的大门，揭示了电子能带更深层次的物理意义。能带拓扑理论得以建立，并从绝缘态推广到了金属态。作为固体电子能带计算的主要手段，第一性原理计算在拓扑物态和拓扑材料的研究中起到了至关重要的引领和推动作用，成功预言多种拓扑量子态的真实材料，使得实验研究成为可能，开创了多个新的研究方向。在这个报告中，我将从建立能带拓扑理论出发［1，2］，讲述如何通过第一性原理计算来预言三维拓扑半金属，包括Dirac半金属Na3Bi[3]，Cd3As2[4]，Weyl半金属HgCr2Se4[5]，TaAs家族[6]和Node-Line半金属[7, 8]等，并介绍相关的实验验证和最新进展。
翁红明，中科院物理所副研究员。2005年毕业于南京大学物理学系，获博士学位，导师董锦明教授。2005年～2007年，日本东北大学金属材料研究所博士后，获2007年日本学术振兴会（JSPS）博士后奖学金。2007年-2010年，日本北陆先端大任助理教授。2010年7月获物理所“百人计划”回国工作。2014年获基金委优秀青年基金资助。研究领域：计算凝聚态物理。主要研究方向：第一性原理计算方法和程序发展，过渡金属氧化物等磁性机理研究、非线性光学和磁光效应计算，拓扑量子态及拓扑材料计算研究等。迄今发表SCI论文60余篇，包括1篇SCIENCE，3篇Nature子刊，5篇PRL，4篇PRX，MRS Bulletin和Advances in Physics受邀综述各1篇等，总引用1400余次。