磁孤子到斯格明子转换

Dzyaloshinsky-Moriya(DM)相互作用最早是为了解释大部分反铁磁晶体中的弱铁磁磁性的根源而发展起来的。在自旋电子学中，许多物理概念，如多铁耦合、磁孤子、磁斯格明子等其都与自旋的DM相互作用有关。磁孤子是一种单方向DM相互作用形成的手性磁结构。而磁斯格明子的形成要求材料至少沿两个方向有DM相互作用。因此两者只存在于不同材料体系中，不能兼容。在本报告中，我们将报道纳米结构中磁孤子边缘磁矩在高磁场下，可以断裂形成磁斯格明子。相关结果为连接两个不同体系的手性磁结构提供了一个有效的方式。