翟天佑
华中科技大学
地点：唐仲英楼B501
时间：2019-09-27 14:00
金属硫族二维材料具有独特的结构、丰富的种类、优异的物理化学性质，以及能够满足光电器件集成化、柔性化、高性能以及低功耗的发展目标，已经成为国际前沿科学研究的焦点。要实现金属硫族二维材料在光电信息功能器件领域的实际应用，就必须解决目前高质量材料制备困难、器件性能优势不突出等问题，而如何发展稳定、可控的材料制备方法实现高质量材料的制备以及提升光电器件性能就成为该领域的重要挑战。我们主要从事无机材料合成化学及其微纳光电器件研究，在金属硫属化合物的可控制备与光探测性能调控方面取得代表性成果：1）发展了近稳态供源和限域空间生长方法，实现了若干高质量金属硫属二维材料（SnSe2，ReSe2等）及其异质结的气相沉积生长的可控制备；2）发展了缺陷抑制和能带调控策略，实现了金属硫属二维材料光探测性能的显著提升。
翟天佑，华中科技大学二级教授，材料成形与模具技术国家重点实验室副主任，国家杰出青年基金获得者，万人计划科技创新领军人才，科技部中青年科技创新领军人才，全球高被引科学家，英国皇家化学会会士，国家优秀青年基金获得者，湖北省创新群体负责人，曾获国家自然科学二等奖(5/5)，中国化学会青年化学奖和湖北青年五四奖章。2003年本科毕业于郑州大学化学系，2008年博士毕业于中国科学院化学研究所，师从姚建年院士。2008-2012年在日本物质材料研究机构先后任JSPS博士后(合作导师Yoshio Bando教授)和ICYS研究员。主要从事与光电器件方面的研究，以第一或通讯作者身份在Chem. Soc. Rev. (3), Prog. Mater. Sci. (2), Adv. Mater. (20), Adv. Funct. Mater. (27), Angew. Chem. Int. Ed. (3), JACS (2), Nat. Commun. (3), ACS Nano (6)等期刊上发表论文180余篇(94篇IF>10)，所有论文SCI期刊引用13000余次，H因子60。主持编纂英文专著1本，受邀撰写两本专著中的5章；申请中国和日本专利15项，授权6项；先后担任Science Bulletin和 Frontiers in Chemistry副主编，《科学通报》、《无机材料学报》、《无机化学学报》编委。担任中国化学会青年化学工作委员会委员，中国材料研究学会青年委员会理事和纳米材料与器件分会理事，中国电子学会半导体科技青年专委会委员等。