基于强自旋轨道耦合半导体的超导复合器件研究

过去几年，有关马约拉纳零能模的实验证据不断被发现，而半导体-超导复合器件研究是其中的重要方向之一。同时，有关马约拉纳迹象的平庸解释也受到大家的关注，包括安德烈夫束缚态和近藤效应等。我们基于具有强自旋轨道耦合的InAsSb和Bi2O2Se，构建与超导结合的约瑟夫森和马约拉纳器件，研究其中安德烈夫束缚态、近藤效应、零偏压电导峰、超流调控等现象。本报告将包括以下内容：1）非平衡态下的安德烈夫束缚态及其与近藤效应的相互作用，为安德烈夫束缚态与近藤效应的非平衡过程提供一个较完整的物理图像。2）在基于InAsSb纳米线的马约拉纳器件中，观测安德烈夫束缚态的演化行为以及Yu-Shiba-Rusinov屏蔽导致的零偏压电导峰。3）观测到Bi2O2Se纳米线的相干表面态。4）在基于Bi2O2Se薄膜的约瑟夫森结中实现超流的幅度和空间分布的调控。