SmB6是一种有名的近藤绝缘体，在低温下发现电阻有一个饱和现象。早期一般认为这种低温反常是来自二能带杂化所出现的一些中间态，然而近期的一些理论研究表明，这种低温电阻反常是来自二拓扑保护的表面态性质。我中心成员在2011框架内通力合作，一起讨论产生思想以后，由南京大学闻海虎教授小组和中国科技大学陈仙辉教授小组的生长出优质SmB6单晶材料，测量完电阻和输运性质，然后由复旦大学的封东来教授小组和中国科技大学孙喆教授小组合作通过角分辨光电子谱实验仔细测量，发现了理论预言的几个具有迪拉克色散特性的表面带，从而直接证明了在近藤绝缘体中第一次观测到这种新颖的表面量子态。研究成果以"Observation of Possible topological in-gap surface states in the Kondo insulator SmB6 by photoemission"为题，发表在Nature Communication 上。